és la variació de l'amplada efectiva de la base en un transistor d'unió bipolar (BJT) a causa d'una variació en la tensió aplicada entre la base i el col·lector. (ca)
variation in the effective width of the base in a bipolar junction transistor due to a variation in the applied base-to-collector voltage (en)
variado de la efektiva larĝo de la bazo en dupolusa junta transistoro (eo)